IT之家2月16日报道称，据昨天北京大学官方账号消息，该校在非易失性存储器领域取得了突破。电子学院邱晨光-彭连茂团队首次提出了“超低功耗纳米栅铁电晶体管”，真正实现了超低功耗的高效数据存储。相关成果近日发表在《科学进展》杂志上。据报道，铁电晶体管利用铁电材料中的偏置反转来实现数据存储。这些是在后摩尔芯片技术中具有巨大潜力的半导体存储器。这些都引起了学术界和工业界的广泛关注。这些都是打破“存储墙”、实现人工智能底层架构创新的重要新技术。在设计铁电存储器件结构并引入纳米栅电场集中促进效应时，我们开发了铁电晶体管工作在0.6V超低电压下，可将功耗降低至0.45fJ/μm。该团队还将物理栅极长度缩短至1纳米极限，使其成为迄今为止世界上最小、功耗最低的铁电晶体管，提供了具有新物理机制的存储器件，具有构建高性能亚纳米节点芯片和高计算AI芯片架构的潜力。北京大学表示，纳米门场增强效应对于优化铁电晶体管的设计具有普遍的指导意义，可推广到广泛的铁电材料体系。未来，铁电存储芯片有望利用原子层沉积等标准CMOS工艺开发出行业兼容的超低功耗器件。目前，基于这一新机制，我们正在主导申请一系列与业界NAND兼容的相关专利。结构和集成SOC架构，形成具有完全自主知识产权的“纳米超低功耗铁电晶体管”结构和工艺技术体系（中国专利：202511671105.4/202511672017.6/202511674034.3），将有助于我国在新型存储领域突破国外技术壁垒。 IT之家附上文档链接：
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北大研究团队研发出全球功耗最低的铁电晶体管
